ਨਵੀਂ ਦਿੱਲੀ, 18 ਅਕਤੂਬਰ || ਭਾਰਤੀ ਖੋਜਕਰਤਾਵਾਂ ਦੀ ਇੱਕ ਟੀਮ ਨੇ ਸ਼ੁੱਕਰਵਾਰ ਨੂੰ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰਾਂ ਵਿੱਚ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਗਤੀਸ਼ੀਲਤਾ ਨੂੰ ਸੀਮਿਤ ਕਰਨ ਵਾਲੇ ਤੰਤਰ ਵਿੱਚ ਨਵੀਂ ਜਾਣਕਾਰੀ ਦਾ ਖੁਲਾਸਾ ਕੀਤਾ।
ਖੋਜਾਂ, ਜਰਨਲ ਨੈਨੋ ਲੈਟਰਸ ਵਿੱਚ ਪ੍ਰਕਾਸ਼ਿਤ, ਵਧੇਰੇ ਕੁਸ਼ਲ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਉਪਕਰਣਾਂ ਨੂੰ ਵਿਕਸਤ ਕਰਨ ਲਈ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰਾਂ ਦੀਆਂ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਨੂੰ ਸਮਝਣ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਵੱਡੀ ਛਾਲ ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਂਦੀਆਂ ਹਨ।
ਜਵਾਹਰ ਲਾਲ ਨਹਿਰੂ ਸੈਂਟਰ ਫਾਰ ਐਡਵਾਂਸਡ ਸਾਇੰਟਿਫਿਕ ਰਿਸਰਚ (JNCASR), ਬੰਗਲੌਰ, ਵਿਗਿਆਨ ਅਤੇ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਵਿਭਾਗ (DST) ਦੇ ਅਧੀਨ ਇੱਕ ਖੁਦਮੁਖਤਿਆਰ ਸੰਸਥਾ ਦੇ ਵਿਗਿਆਨੀਆਂ ਨੇ ਉਹਨਾਂ ਕਾਰਕਾਂ ਦੀ ਖੋਜ ਕੀਤੀ ਜੋ ਸਕੈਂਡੀਅਮ ਨਾਈਟ੍ਰਾਈਡ (ScN), ਇੱਕ ਰੌਕਸਾਲਟ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਵਿੱਚ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨ ਗਤੀਸ਼ੀਲਤਾ ਨੂੰ ਸੀਮਿਤ ਕਰਦੇ ਹਨ।
ਐਸੋਸੀਏਟ ਪ੍ਰੋਫੈਸਰ ਬਿਵਾਸ ਸਾਹਾ ਨੇ ਕਿਹਾ, “ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਨਿਰਮਾਤਾ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਡਿਵਾਈਸ ਦੀ ਕਾਰਗੁਜ਼ਾਰੀ ਦੀਆਂ ਸੀਮਾਵਾਂ ਨੂੰ ਅੱਗੇ ਵਧਾਉਣ ਦੀ ਕੋਸ਼ਿਸ਼ ਕਰਦੇ ਹਨ, ਸਾਡੀ ਖੋਜ ਦੁਆਰਾ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕੀਤੀ ਗਈ ਸੂਝ ਐਸਸੀਐਨ-ਅਧਾਰਿਤ ਹਿੱਸਿਆਂ ਦੇ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਅਤੇ ਨਿਰਮਾਣ ਵਿੱਚ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਤਰੱਕੀ ਕਰ ਸਕਦੀ ਹੈ।
ScN ਆਪਣੀ ਉੱਚ ਥਰਮਲ ਸਥਿਰਤਾ, ਮਜ਼ਬੂਤੀ ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਦੇ ਕਾਰਨ ਅਗਲੀ ਪੀੜ੍ਹੀ ਦੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕਸ ਲਈ ਇੱਕ ਹੋਨਹਾਰ ਉਮੀਦਵਾਰ ਵਜੋਂ ਉਭਰਿਆ ਹੈ। ਹਾਲਾਂਕਿ, ਇਸਦੀ ਸਮਰੱਥਾ ਦੇ ਬਾਵਜੂਦ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨਿਕ ਉਪਕਰਨਾਂ ਵਿੱਚ ScN ਦੀ ਵਿਹਾਰਕ ਵਰਤੋਂ ਇਸਦੀ ਮੁਕਾਬਲਤਨ ਘੱਟ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਗਤੀਸ਼ੀਲਤਾ ਦੇ ਕਾਰਨ ਰੁਕਾਵਟ ਬਣੀ ਹੋਈ ਹੈ।
ਸਾਹਾ ਦੀ ਅਗਵਾਈ ਵਾਲੇ ਖੋਜਕਰਤਾਵਾਂ ਨੇ ਪ੍ਰਭਾਵੀ ਸਕੈਟਰਿੰਗ ਵਿਧੀਆਂ ਦੀ ਪਛਾਣ ਕਰਨ ਅਤੇ ਵਿਸ਼ਲੇਸ਼ਣ ਕਰਨ 'ਤੇ ਧਿਆਨ ਕੇਂਦ੍ਰਤ ਕੀਤਾ ਜੋ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨਾਂ ਦੇ ਪ੍ਰਵਾਹ ਵਿੱਚ ਰੁਕਾਵਟ ਪਾਉਂਦੇ ਹਨ ਅਤੇ ਉਨ੍ਹਾਂ ਦੀ ਗਤੀਸ਼ੀਲਤਾ ਨੂੰ ਘਟਾਉਂਦੇ ਹਨ।
ਵਿਗਿਆਨ ਅਤੇ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਮੰਤਰਾਲੇ ਨੇ ਕਿਹਾ ਕਿ ਸਿਧਾਂਤਕ ਵਿਸ਼ਲੇਸ਼ਣ ਅਤੇ ਪ੍ਰਯੋਗਾਤਮਕ ਪ੍ਰਮਾਣਿਕਤਾ ਦੇ ਸੁਮੇਲ ਦੁਆਰਾ, ਖੋਜਕਰਤਾ ਖੇਡ 'ਤੇ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਸਕੈਟਰਿੰਗ ਵਿਧੀ ਦਾ ਪਤਾ ਲਗਾਉਣ ਦੇ ਯੋਗ ਸਨ।