नई दिल्ली, 18 अक्टूबर || भारतीय शोधकर्ताओं की एक टीम ने शुक्रवार को अर्धचालकों में इलेक्ट्रॉन गतिशीलता को सीमित करने वाले तंत्र में नवीन अंतर्दृष्टि का खुलासा किया।
नैनो लेटर्स जर्नल में प्रकाशित निष्कर्ष, अधिक कुशल इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों को विकसित करने के लिए अर्धचालकों के इलेक्ट्रॉनिक गुणों को समझने में एक बड़ी छलांग दिखाते हैं।
विज्ञान और प्रौद्योगिकी विभाग (डीएसटी) के तहत एक स्वायत्त संस्थान, जवाहरलाल नेहरू सेंटर फॉर एडवांस्ड साइंटिफिक रिसर्च (जेएनसीएएसआर), बैंगलोर के वैज्ञानिकों ने उन कारकों का पता लगाया जो रॉकसाल्ट सेमीकंडक्टर स्कैंडियम नाइट्राइड (एससीएन) में इलेक्ट्रॉन गतिशीलता को सीमित करते हैं।
एसोसिएट प्रोफेसर बिवास साहा ने कहा, "जैसा कि निर्माता इलेक्ट्रॉनिक डिवाइस प्रदर्शन की सीमाओं को आगे बढ़ाने की कोशिश कर रहे हैं, हमारे शोध द्वारा प्रदान की गई अंतर्दृष्टि से एससीएन-आधारित घटकों के डिजाइन और निर्माण में महत्वपूर्ण प्रगति हो सकती है।"
एससीएन अपनी उच्च तापीय स्थिरता, मजबूती और इलेक्ट्रॉनिक गुणों के कारण अगली पीढ़ी के इलेक्ट्रॉनिक्स के लिए एक आशाजनक उम्मीदवार के रूप में उभरा है। हालाँकि, इसकी क्षमता के बावजूद, इसकी अपेक्षाकृत कम इलेक्ट्रॉन गतिशीलता के कारण इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में ScN का व्यावहारिक अनुप्रयोग बाधित हो गया है।
साहा के नेतृत्व में शोधकर्ताओं ने प्रमुख बिखरने वाले तंत्रों की पहचान और विश्लेषण करने पर ध्यान केंद्रित किया, जो इलेक्ट्रॉनों के प्रवाह को बाधित करते हैं और उनकी गतिशीलता को कम करते हैं।
विज्ञान और प्रौद्योगिकी मंत्रालय ने कहा, सैद्धांतिक विश्लेषण और प्रयोगात्मक सत्यापन के संयोजन के माध्यम से, शोधकर्ता विशिष्ट बिखरने वाले तंत्र को इंगित करने में सक्षम थे।